华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀

内容简介

[

　　《华年日拾：梁骏吾院士80华诞记怀》梳理和总结了中国工程院院土、物理学家梁骏吾50多年来从事半导体材料和材料物理学科研活动的历程。主要包括科研成果、学术论文、专利发明、学术报告、获奖情况和生平年表等内容。梁骏吾是我国早期半导体硅材料的奠基人，长期从事半导体硅材料的物理性质、硅单品的质量、硅单晶中的杂质行为、微缺陷等方面的研究，以及开拓新型半导体硅单晶材料的研究。

]

目录

序我国新型硅材料的开拓者 记中国科学院半导体研究所研究员梁骏吾学术论文Investigation of Heterostructure Defects for IPE Ga1—xAlxAs／GaAsInvestigation of N—doped FZ Si CrystalsThe Interaction Between Impurities and Defects in SemiconductorsBehaviors of Dislocations During Sl’s Growth and Crystal Quality AssessmentThermodynamic and Fluid Dynamic Analyses of GaAs Movpe ProcessPhotoluminescence Spectrum Study of the GaAs／Si Epilayer Grown by using a Thin Amorphous Si Film as Buffer LayerDissociated Screw Dislocation Which Can Relieve Strain Energy in the Epitaxial Layer of GeSi on Si（001）Hrtem Study of Dislocations in GeSi／Si Heterostructures Grown by VPEKinetics and Transport Model for the Chemical Vapor Epitaxy of GexSi1—xThe Dependence of GexSi1—x Epitaxial Growth on GeH4 Flow Using Chemical Vapour DepositionPhysical Properties and Growth of SiCStudy on Photoluminescence Spectra of SiCRaman Study on Residual Strains in Thin 3C—SiC Epitaxial Layers Grown on Si（001）Investigation of {111} A and {111} B Planes of c—GaN Epilayers Grown on GaAs（001）by MOCVDMicrotwins and Twin Inclusions in the 3C—SiC Epilayers grown on Si（001） by APCVDDetermination of Structure and Polarity of SiC Single Crystal by X—Ray Diffraction TechniqueIs Thin—Film Solar Cell Technology Promising？Optical and Electrical Properties of GaN：Mg Grown by MOCVDDefect Cluster—Induced X—Ray Diffuse Scattering in GaN Films Grown by MOCVDGrowth of AlGaN Epitaxial Film with High Al Content by Metalorganic Chemical Vapour DepositionTemperature Distribution in Ridge Structure InGaN Laser Diodes and Its Influence on Device CharacteristicsAbatement of Waste Gases and Water During the Processes of Semiconductor FabricationControl of Arsenic Pollution from Waste Gases During Fabrication of SemiconductorO летучести окиси бора в тешии и воДороДе при НаЛичии воДяНого параO расТворимосТи кислорДа в ЖиДком кремНии直拉硅单晶碳沾污的研究LPE Ga1—xAlxAs／GaAs界面缺陷观察Si—C相图的研究及碳对硅单晶质量的影响掺氮区熔硅单晶深能级的研究Ge在GaAs液相外延中的行为杂质在硅和砷化镓中行为两性杂质锗在IPE GaAs中分凝系数和占位比的计算半导体（目录）水平式矩形硅外延系统的计算机模拟低压MOCVD生长的InGaAs／InP量子阱的光致发光谱线线宽及量子尺寸效应的测量分析GaAs／Si外延层X射线双晶衍射摇摆曲线的动力学模拟和位错密度的测量SIPOS膜的结构组成半导体材料与器件生产工艺尾气中砷、磷、硫的治理及检测GeSi CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型MOVPE生长Ca（CH3）3—AsH3—H2体系中砷的形态转化及砷的治理用固相外延方法制备Si1—x—yGexCy三元材料兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考电子级多晶硅的生产工艺中国信息产业领域相关重点基础材料科技发展战略研究中国硅材料工业的前景与挑战半导体硅片生产形势的分析光伏产业面临多晶硅瓶颈及对策“十五”期间中国半导体硅材料发展战略思路和建议薄膜光伏电池中的材料问题降低超大规模集成电路用高纯水中总有机碳的能量传递光化学模型附录附录一 梁骏吾活动年表附录二 梁骏吾获奖情况附录三 所获得的专利目录附录四 学术报告目录附录五 工程院院土建议后记

封面

书名:华年日拾——梁骏吾院士80华诞记怀

作者:中国科学院半导体研究所

页数:335

定价:¥500.0

出版社:科学出版社

出版日期:2017-08-08

ISBN:9787030384447

PDF电子书大小:56MB 高清扫描完整版