基于脉冲激光沉积富硼B-C薄膜的关键技术研究

本书特色

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　　《基于脉冲激光沉积富硼B-C薄膜的关键技术研究》旨在利用脉冲激光沉积技术，将其分别采用碳化硼陶瓷靶与硼碳拼合靶为靶材。通过对靶材成分、组成形式及沉积温度等工艺参数的调整，得到表面平整、厚度均匀及成分可控的富硼B-C薄膜，建立靶材成分、组成形式和沉积温度等工艺参数与薄膜组成、结构之间的关系，对该系列薄膜的生长机理进行分析研究。

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内容简介

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薄膜材料研究专业科技人员，高等院校材料类及相关专业的本科生、研究生

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目录

目录《博士后文库》序言前言第1章 导论 11.1 激光惯性约束核聚变 21.1.1 激光惯性约束核聚变技术 21.1.2 激光惯性约束核聚变靶丸材料 41.2 B-C系列材料 51.2.1 B-C系列材料的晶体结构 51.2.2 B-C系列材料的研究现状 81.2.3 B-C系列薄膜的研究现状 10第2章 富珊B-C陶瓷的制备、结构分析与成分控制 132.1 引言 132.2 实验与测试 142.2.1 实验原料 142.2.2 实验设计与工艺过程 142.2.3 测试方法 152.3 B-C系列陶瓷靶材的烧结致密化 162.3.1 B-C陶瓷烧结体的致密度分析 162.3.2 B-C陶瓷的物相分析 172.3.3 B-C陶瓷的显微结构分析 232.4 不同配比B-C陶瓷靶材的制备与成分控制 272.4.1 不同配比B-C陶瓷的物相结构分析 272.4.2 不同原子比B-C陶瓷的显微结构分析 282.4.3 B-C陶踵的化学组成分析与成分控制 302.4.4 硼、碳原子的化学结构分析 31第3章 采用B-C陶瓷靶的富硼B-C薄膜脉冲激光沉积 353.1 引言 353.2 实验与测试 363.2.1 实验原料 363.2.2 实验设计与工艺过程 363.2.3 测试方法 393.3 富硼B-C薄膜的脉冲激光沉积工艺研究 413.3.1 脉冲激光能量对薄膜沉积质量的影响 43.3.2 靶-基距对薄膜沉积质量的影响 463.4 B-C薄膜的成分研究 493.4.1 B-C薄膜的化学组成分析与成分控制 493.4.2 硼、碳原子的化学结构研究 50第4章 采用B-C拼合靶的富硼B-C薄膜脉冲激光沉积 534.1 引言 534.2 实验与测试 544.2.1 实验原料 544.2.2 实验设计与工艺过程 554.2.3 测试方法 574.3 B-C拼合靶的脉冲激光沉积工艺研究 584.3.1 基板温度对薄膜沉积质量的影响 584.3.2 靶材自转速度对薄膜沉积质量的影响 644.4 B-C薄膜的成分分析与控制 654.4.1 B-C薄膜的化学组成分析与成分控制 654.4.2 硼、碳原子的化学结构分析 664.5 B-C拼合靶的脉冲激光沉积过程分析 684.5.1 脉冲激光沉积技术 684.5.2 脉冲激光烧蚀靶材过程分析 694.5.3 脉冲激光烧蚀产生等离子体的膨胀行为分析 714.5.4 等离子体羽辉边界的求解 754.5.5 B-C薄膜中原子比的理论计算 77本书总结 81参考文献 83

封面

书名:基于脉冲激光沉积富硼B-C薄膜的关键技术研究

作者:章嵩

页数:90页

定价:¥38.0

出版社:科学出版社

出版日期:2017-11-01

ISBN:9787030553331

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