半导体物理学简明教程-第2版
本书特色
[
编者根据使用情况和评审意见对原书作了适当修改，力图以简明扼要的方式全面、准确介绍半导体物理学的基础知识及其新进展，内容包括半导体的物质结构和能带结构、杂质和缺陷、载流子的统计分布及其运动规律、非热平衡态半导体、pn结、金属-半导体接触、异质结、半导体表面、以及主要的半导体效应。
]
目录
前言绪论第1章半导体的物质结构和能带结构11半导体的原子结合与晶体结构111元素的电负性与原子的结合力112共价结合与正四面体结构113主要半导体的晶体结构12半导体的电子状态和能带121能级与能带122零势场与周期势场中的电子状态123能带的填充与晶体的导电性及空穴的概念13半导体中载流子的有效质量131能带极值附近的e(k)函数132电子和空穴的有效质量133各向异性半导体中载流子的有效质量14半导体中的杂质和缺陷能级141杂质的施、受主作用及其能级142深能级杂质143缺陷的施、受主作用及其能级15典型半导体的能带结构151能带结构的基本内容及其表征152主要半导体的能带结构16半导体能带工程概要161半导体固溶体162利用固溶体技术剪裁能带结构163能带结构的量子尺寸效应习题第2章半导体中的载流子及其输运性质21载流子的漂移运动与半导体的电导率211欧姆定律的微分形式212半导体的电导率22热平衡状态下的载流子统计221热平衡状态下的电子和空穴222费米分布函数与费米能级223费米分布函数与玻耳兹曼分布函数224非简并半导体的载流子密度225本征半导体的载流子密度23载流子密度对杂质和温度的依赖性231杂质电离度232非简并半导体载流子密度随温度的变化233简并半导体24载流子迁移率241恒定电场下载流子漂移运动的微观描述242决定载流子迁移率的物理因素243有效质量各向异性时的载流子迁移率25载流子散射及其对迁移率的影响251散射的物理本质252电离杂质散射及其对迁移率的影响253晶格振动散射及其对迁移率的影响254其他散射机构26半导体的电阻率及其与掺杂浓度和温度的关系261半导体的电阻率262电阻率与掺杂浓度的关系263电阻率与温度的关系27强电场中的载流子输运271强电场效应272热电子与速度饱和273负微分迁移率274耿氏效应及其应用275强电场下的速度过冲和准弹道输运28半导体的热导率281热导率的定义282半导体中的导热机构283维德曼-弗兰茨定律习题第3章非热平衡状态下的半导体31半导体的非热平衡状态311额外载流子的产生与复合312额外载流子的寿命313准费米能级32复合理论321直接辐射复合322通过单一复合中心的间接复合323表面复合324俄歇复合325陷阱效应及其对复合的影响33额外载流子的运动331额外载流子的扩散与扩散方程332扩散方程在不同边界条件下的解333电场中的额外载流子运动334爱因斯坦关系34电流连续性方程及其应用341电流连续性方程342稳态电流连续性方程及其解343连续性方程的应用35半导体的光吸收351吸收系数及相关光学常数352半导体的本征吸收353其他吸收过程36半导体的光电导和光致发光361半导体的光电导362半导体的光致发光习题第4章pn结41pn结的形成及其平衡态411pn结的形成及其杂质分布412热平衡状态下的pn结42pn结的伏安特性421广义欧姆定律422理想状态下的pn结伏安特性方程423pn结伏安特性对理想方程的偏离43pn结电容431pn结势垒区的电场及电势分布432势垒电容433扩散电容434用电容-电压法测量半导体的杂质浓度44pn结击穿441雪崩击穿442隧道击穿443热电击穿45pn结的光伏效应451光生电动势原理452光照pn结的电流-电压方程453光照pn结的特征参数46pn结发光461发光原理462半导体激光器原理习题第5章金属-半导体接触51金属-半导体接触及其平衡状态511金属和半导体的功函数512有功函数差的金属-半导体接触513表面态对接触电势差的影响514欧姆接触52金属-半导体接触的非平衡状态521不同偏置状态下的肖特基势垒522正偏肖特基势垒区中的费米能级523厚势垒金属-半导体接触的伏安特性524薄势垒金属-半导体接触的伏安特性525金属-半导体接触的少子注入问题526非平衡态肖特基势垒接触的特点及其应用习题第6章异质结和纳米结构61异质结的构成及其能带611异质结的构成与类型
封面
书名:半导体物理学简明教程-第2版
作者:陈治明
页数:255
定价:¥36.0
出版社:机械工业出版社
出版日期:2016-01-01
ISBN:9787111516286
PDF电子书大小:79MB 高清扫描完整版