模拟CMOS集成电路设计(第2版)/(美)毕查德.拉扎维/国外名校最新教材精选

内容简介

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本书是模拟CMOS集成电路设计方面的经典教材，介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计，着重讲解该技术的很新进展和设计实例，从MOSFET器件的基本物理特性开始，逐章分析CMOS放大单元电路、差分放大器、频率响应、噪声、反馈放大器与稳定性、运算放大器、电压基准源与电流基源、离散时间系统、差分电路及反馈系统中的非线性、振荡器和锁相环等基础模拟电路的分析与设计。本书还介绍了集成电路的基本制造工艺、版图和封装设计的基本原则。本书自出版以来得到了靠前外读者的好评和青睐，被许多靠前知名大学选为教科书。同时，由于原著者在世界知名很好公司的丰富研究经历，使本书也很好适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。

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作者简介

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　　毕查德·拉扎维，美国加利福尼亚大学洛杉矶分校电气工程学院教授，获奖无数的作家、研究人员、教师。他的研究领域包括无线收发机、宽带数据通信电路、数据转换器。他还是IEEE的院士、IEEE讲师，被公认为国际固体电路会议（ISSCC）近50年中10位作者之一。在模拟电路、射频、高速电路的分析和设计领域，他已经出版了7本经典巨著。

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目录

第2版译者序第1版译者序第2版前言第1版前言第2版致谢第1版致谢作者简介第1章 模拟电路设计绪论1．1 模拟电路的重要性1．1．1 信号的检测与处理1．1．2 数字信号传输中的模拟设计1．1．3 需求旺盛的模拟设计1．1．4 模拟设计的挑战1．2 研究模拟集成电路的重要性1．3 研究CMOS模拟集成电路的重要性1．4 本书的特点1．5 电路设计的抽象级别第2章 MOS器件物理基础2．1 基本概念2．1．1 MOSFET开关2．1．2 MOSFET的结构2．1．3 MOS符号2．2 MOS的I-V特性2．2．1 阈值电压2．2．2 I-V特性的推导2．2．3 MOSFET的跨导2．3 二级效应2．4 MOS器件模型2．4．1 MOS器件版图2．4．2 MOS器件电容2．4．3 MOS小信号模型2．4．4 MOS SPICE模型2．4．5 NMOS与PMOS器件的比较2．4．6 长沟道器件与短沟道器件的比较2．5 附录A：鳍式场效应晶体管（FinFET）2．6 附录B：用作电容器的MOS器件的特性参考文献习题第3章 单级放大器3．1 应用3．2 概述3．3 共源级3．3．1 采用电阻作负载的共源级3．3．2 采用二极管连接型器件作负载的共源级3．3．3 采用电流源作负载的共源级3．3．4 有源负载的共源级3．3．5 工作在线性区的MOS为负载的共源级3．3．6 带源极负反馈的共源级3．4 源跟随器3．5 共栅级3．6 共源共栅级3．6．1 折叠式共源共栅3．7 器件模型的选择习题第4章 差动放大器4．1 单端与差动的工作方式4．2 基本差动对4．2．1 定性分析4．2．2 定量分析4．2．3 带源极负反馈的差动对4．3 共模响应4．4 MOS为负载的差动对4．5 吉尔伯特单元参考文献习题第5章 电流镜与偏置技术5．1 基本电流镜5．2 共源共栅电流镜……第6章 放大器的频率特性第7章 噪声第8章 反馈第9章 运算放大器第10章 稳定性与频率补偿第11章 纳米设计分析第12章 带隙基准第13章 开关电容电路导论第14章 非线性与不匹配第15章 振荡器第16章 锁相环第17章 短沟道效应与器件模型第18章 CMOS工艺技术第19章 版图与封装索引

封面

书名:模拟CMOS集成电路设计(第2版)/(美)毕查德.拉扎维/国外名校最新教材精选

作者:【美】毕查德·拉扎维

页数:724

定价:¥138.0

出版社:西安交通大学出版社

出版日期:2018-08-01

ISBN:9787569309928

PDF电子书大小:129MB 高清扫描完整版